HDなど超高密度化に道=「スピン」そろう新素材―量研機構

時事通信社

12月3日(火)20時13分

 量子科学技術研究開発機構などの研究チームは、ハードディスク(HD)や次世代の「MRAM(磁気抵抗メモリー)」など磁気メモリーの記録密度(面積当たりの記憶容量)を100倍以上に向上できる可能性を持つ新素材を開発した。論文は3日、独科学誌アドバンスト・マテリアルズ電子版に掲載された。

 磁気メモリーで使われる磁気抵抗素子は非磁性体を磁性体で挟んだ構造。磁気の向きに応じて電気抵抗が変化する現象を利用し、抵抗の大小を0と1として情報を記録する。記録密度向上には、磁性体内の電子の自転(スピン)の向きをそろえ、非磁性体の電気抵抗を下げる必要があるが、現在の素子では両立が難しく、頭打ちになっていた。

 量研機構の李松田主任研究員らは、スピンの向きがそろっているが、酸化しやすいホイスラー合金薄膜を高真空下で作製し、その上を炭素素材グラフェンで覆った新素材を開発。記録密度を100倍以上に向上できる可能性があるなど磁気抵抗素子への応用に適していることを確認した。

 【時事通信社】

社会トピックス

スポンサーリンク

ランキング