ワイドバンドギャップ半導体ウェハー市場、2035年までに約89億米ドル規模へ成長予測

2026-06-21 03:30

SDKI Analyticsは、2026年6月19日に、ワイドバンドギャップ半導体ウェハー市場に関する調査結果を発表しました。同市場は、2035年までに約89億米ドル規模に成長すると予測されています。

概要

SDKI Analyticsは、2026年6月19日に、2026年から2035年の予測期間を対象とした「Wide Bandgap Semiconductor Wafers Market（ワイドバンドギャップ半導体ウェハー市場）」に関する調査結果を発表しました。同市場は、年平均成長率（CAGR）約13.6%で成長し、2035年には約89億米ドルに達すると予測されています。

調査担当: SDKI Inc.
調査対象範囲: 555社の市場参入企業
調査期間: 2026年3月～2026年4月
市場規模（収益額）予測: 2025年約25億米ドル、2035年約89億米ドル
年平均成長率（CAGR）予測: 約13.6%（2026年～2035年）
詳細URL:https://www.sdki.jp/reports/wide-bandgap-semiconductor-wafers-market/590642466

市場成長を牽引する要因

ワイドバンドギャップ半導体ウェハー市場の成長は、主に5Gインフラ向けRFアンプにおけるGaN（窒化ガリウム）ウェハの需要拡大に後押しされています。これらのウェハーは、5G基地局、次世代の6Gネットワーク、および衛星通信で使用されるRFパワーアンプに不可欠なコンポーネントです。Global Mobile Suppliers Association（GSA）によると、2025年には世界の5G基地局の設置数が600万基を超え、韓国、日本、米国では6Gの試験運用が開始されました。これらの基地局には、約10～20個のGaN RFデバイスが使用されています。

さらに、再生可能エネルギー用インバーターや送電網（グリッド）インフラにおけるSiC（炭化ケイ素）ウェハの採用拡大も、市場の成長を後押ししています。太陽光発電や風力発電システムでは、直流（DC）を交流（AC）に変換するために高効率なパワーインバーターが必要とされます。国際再生可能エネルギー機関（IRENA）によると、2025年の世界の再生可能エネルギー発電容量は5,149 GWに達しました。

主要企業の事業展開

ワイドバンドギャップ半導体ウェハー市場の各企業は、近年、事業展開を進めています。

2025年2月、Infineonは、先進的な200mm炭化ケイ素（SiC）技術に基づく最初の製品を顧客向けに投入すると発表しました。
2025年8月、Kyma TechnologiesはNovel Crystal Technology, Inc.と共同で、最新のパワーエレクトロニクス向けとなる高度な酸化ガリウムエピタキシャルウェハーを投入しました。

市場セグメンテーション

ワイドバンドギャップ半導体ウェハー市場は、材料タイプ別に、炭化ケイ素（SiC）ウェハー、窒化ガリウム（GaN）ウェハー、ダイヤモンドウェハー、窒化アルミニウム（AlN）ウェハー、酸化ガリウム（Ga₂O₃）ウェハー、その他の新興材料に分割されています。このうち、炭化ケイ素（SiC）ウェハーのセグメントは、商業的成熟度と高い熱伝導性からパワーエレクトロニクスアプリケーションで好まれており、予測期間中に市場の68%を占めると見込まれています。電気自動車（EV）のパワートレインにおけるSiCウェハーの採用拡大、高出力アプリケーションへの需要の高まり、そして再生可能エネ

地域別動向

予測期間中、アジア太平洋地域が36%という圧倒的なシェアを占めるとともに、14.3%という最も高い年平均成長率（CAGR）を記録すると見込まれています。この成長は、電気自動車（EV）の生産能力の拡大、再生可能エネルギー設備の導入増加、そして急速充電インフラの急速な整備に起因しています。日本市場においても、自動車の電動化やハイブリッド車の販売が急速に進んでいること、パワー半導体技術への需要が堅調であること、さらにはグリーン技術や半導体産業に対する政府の支援を背景に、市場は急速に拡大しています。