パワー半導体評価拠点「HS PowerDevice Lab HIBIKINO」が本格稼働

パワー半導体の性能評価と技術開発を推進

HS PowerDevice Lab HIBIKINOは、評価装置や技術の発展を目的に運営されています。自社開発の評価装置を用いた測定・解析を行うとともに、装置や評価手法の開発にも取り組む拠点です。EVや電力変換システムなどで活用が進むSiCやGaNなどのパワー半導体に対し、実際の使用条件を想定した動的評価などを行います。

導入した評価装置

本ラボでは、以下の4種類の評価装置を導入しました。
・高温ダイナミック逆バイアステストシステム(D-HTRB、型番：HAT-DHTRB01A)
・高温ダイナミックゲートバイアステストシステム(D-HTGB、型番：HAT-DHTGB01A)
・高温高湿ダイナミック逆バイアステストシステム(D-H3TRB、型番：HAT-DH3TRB01A)
・パワーサイクルテストシステム(過渡熱抵抗Rth測定機能付き)(PC、型番：HAT-PC01A)
これらは試験条件や運用方法を変更することで、静的な信頼性評価にも対応可能です。※上記試験に関連する規格・ガイドラインは、規格全体への適合や認証取得を示すものではありません。実施する試験項目・条件は、適用する規格の版、対象デバイス、装置の温度・電圧・周波数などの範囲を確認のうえ、個別に協議します。※しきい値電圧の測定・評価にはJEDEC JEP183・JEP195を参照します。熱特性評価における構造関数解析は、装置構成・オプションの確認に応じてご案内します。

受託評価およびトライアル評価の提供

本ラボでは、デバイスの特性測定や信頼性試験に加え、電力変換回路に組み込んだ状態での評価にも対応しています。ヘッドスプリングの電力変換器開発経験を生かし、回路設計の観点から評価結果を説明します。受託評価はすでに複数のお客様にご利用いただいており、試験項目や条件を協議のうえ、測定・解析とレポート提供を行います。※本ラボの設備で対応できない特殊測定などは、提携する評価機関と協力して対応します。また、HATシリーズの購入・導入を検討する企業向けには、お客様のデバイスを用いたトライアル評価も提供します。必要な試験条件に応じた機種選定やカスタマイズについても相談を受け付けています。

施設概要

名称：HS PowerDevice Lab HIBIKINO（ヘッドスプリング株式会社 北九州事業所）
所在地：福岡県北九州市若松区ひびきの2番5号 北九州学術研究都市 情報技術高度化センター内
開設：2025年12月22日
主な評価対象：SiC MOSFET、Si IGBT／MOSFET、GaN HEMT、パワーモジュール ※対応する試験・条件はデバイスにより異なります。

まとめ

HS PowerDevice Lab HIBIKINOは、導入した4種類の評価装置を活用した受託評価やトライアル評価を本格化させます。今後も評価項目の拡充を進め、得られた知見を評価技術や装置開発に反映することで、パワーエレクトロニクス技術の発展に貢献します。

関連リンク

https://headspring.co.jp/brand_testsol_semicon_eval/