世界のGaN半導体デバイス市場、2032年に最大250億米ドル規模へ拡大予測
GaN半導体デバイス市場は、AIデータセンターや電気自動車などの需要拡大を背景に急成長しており、2032年には市場規模が180億から250億米ドルに達する見通しです。
市場予測の概要
レポートプライムは、窒化ガリウム（GaN）を使用した半導体デバイスの市場調査結果を公表しました。本調査はパワー半導体、高周波半導体、光半導体などのデバイス販売を対象としており、基板ウェーハやエピタキシャルウェーハの市場は含まれません。※市場規模はGaN半導体デバイスの販売市場を対象とした推計です。2032年の予測値は一定の幅を持つレンジであり、将来の市場環境によって変動する可能性があります。
市場概要：
2025年の世界市場規模：27億7,000万米ドル
2032年の市場規模予測：180億〜250億米ドル
2026〜2032年の年平均成長率：約34.71％
市場拡大を支える技術と需要分野
GaNはシリコンと比較して高速スイッチングや電力損失の低減に優れ、電源装置の小型化と高効率化を実現する技術として注目されています。主な需要分野には、人工知能（AI）データセンター向けの高効率電源、電気自動車（EV）の車載充電器、スマートフォンなどの急速充電器、第5世代移動通信システム向け高周波機器が挙げられます。ただし、今後の成長は最終製品の需要に加え、既存のシリコンや炭化ケイ素（SiC）からどの程度置き換わるかが鍵となります。
競争環境と今後の課題
市場ではインフィニオン・テクノロジーズ、ナビタス・セミコンダクター、パワー・インテグレーションズ、エフィシエント・パワー・コンバージョン（EPC）などの企業が製品開発を進めています。日本メーカーではルネサスエレクトロニクス、ローム、東芝、パナソニックなどが関連技術を展開しています。競争力維持には、デバイス性能の向上だけでなく、製造コストの低減、長期信頼性の確保、安定した量産供給体制の構築が不可欠です。※GaNはすべての用途で一律にシリコンから置き換わるわけではなく、電圧条件や設計上の制約を踏まえた選択が必要です。
まとめ
GaN半導体デバイス市場は、高効率な電力変換技術への需要増を背景に高い成長が予測されています。技術革新と量産競争力が今後の事業収益を左右する重要な要素となります。
